લેસર

વિકિપીડિયાથી
આના પર જાવ: ભ્રમણ, શોધો
યુનાઇટેડ સ્ટેટસ એરફર્સ લેસર પ્રયોગ
કારના પારદર્શક કાચ પર ધુમ્મસમાં લેસર બીમ્સ

લાઇટ એમ્પ્લીફિકેશન બાય સ્ટિમ્યુલેટેડ એમિસન ઓફ રેડિયેશન (લેસર(LASER) અથવા લેસર ) એ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક વિકિરણ (રેડિયેશન) સ્રાવ માટેની, ખાસ કરીને ઉત્તેજિત સ્ત્રાવની પ્રક્રિયા દ્વારા થતા પ્રકાશ અથવા દેખાતા પ્રકાશની પ્રક્રિયા છે. બહાર આવેલો લેસર પ્રકાશ સ્રાવ (સામાન્યરીતે) અવકાશ સાથે સુસંગત છે, સાંકડા ઓછા ફંટાતા બીમ, જેને લેન્સીસ સાથે ખોટી રીતે જોડી શકાય છે. લેસર ટેકનોલોજીમાં, "સુસંગત પ્રકાશ" પ્રકાશ સ્ત્રોતનું સુચન કરે છે જે ઓળખી શકાય તેવી ફ્રિક્વન્સી અને તબક્કાના અલગ તરંગોના પ્રકાશ (સ્રાવ) પેદા કરે છે. [૧] સુસંગત પ્રકાશનું લેસરનું બીમ, સમય અને સ્થિતિની સાથે અલગ પડતા નિદર્શિત તબક્કાના અસંગત પ્રકાશ બીમ સ્રાવ બહાર કાઢે છે તેવા પ્રકાશ સ્રોતોથી અલગ પાડે છે; જ્યારે લેસર પ્રકાશ સાંકડી તરંગોલંબાઇ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક વર્ણપટ (સ્પેક્ટ્રમ) મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ છે; છતા, એવા પણ લેસરો છે જે બહોળા સ્પેક્ર્ટમવાળો પ્રકાશ સ્ત્રાવ અથવા તેની સાથે જ અલગ તરંગલંબાઇ બહાર મોકલે છે.

અનુક્રમણિકા

પરિભાષા[ફેરફાર કરો]

ડાબેથી જમણે: ગામા રેઝ, એક્સ રેઝ, અલ્ટ્રાવાયોલેટ રેઝ, દેખીતા સ્પેક્ટ્રમ, ઇન્ફ્રારેડ, માઇક્રોવેવ્સ, રેડિયો વેવ્સ.
લેસર shabada  મૂળભૂત રીતે અપર કેસ લેસર  હતા, લાઇટ એમ્પ્લીફિકેશન બાય સ્ટિમ્યુલેટેડ એમિસન્સ ઓફ રેડિયેશન ના શબ્દસમૂહના એક શબ્દમાં, જેમાં લાઇટ  વ્યાપક પણે કોઇ પણ ફ્રિક્વન્સીના ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશન સુચવે છે, ફક્ત દેખીતા સ્પેક્ટ્રમ જ નહી; તેથી ઇન્ફ્રારેડ લેસર, અલ્ટ્રાવાયોલેટ લેસર, એક્સ-રે લેસર વગેરે.  લેસરના માઇક્રોવેવ પૂરોગામી મેસર ની વિકાસ સૌપ્રથમ કરવામાં આવ્યો હતો, આ ઘટક માઇક્રોવેવ અને રેડિયો ફ્રિક્વન્સીના સ્રાવ બહાર મોકલે છે તેનો અર્થ “મેસર્સ” તેવો થાય છે.  અગાઉના તકનિકી સાહિત્યમાં, ખાસ કરીને બેલ ટેલિફોન લેબોરેટરીઝ સંશોધકોમાં, લેસરને ઓપ્ટિકલ મેસર  કહેવાતુ હતુ, જે હાલમાં સામાન્ય શબ્દ નથી, વધુમાં 1998થી બેલ લેબોરેટરીઝે લેસર નો વપરાશ અપનાવ્યો હતો.[૨]  ભાષાકીય રીતે, પાશ્ચાદ રચના શબ્દ ટુ લેસ નો અર્થ “ઓછો પ્રકાશ પેદા કરવો” અને “ની પર ઓછો પ્રકાશ લાગુ પાડવો” તેવો થાય છે.[૩]  શબ્દ લેસર  કેટલીક વાર લેસર પ્રકાશ ટેકનોલોજી વિનાની, ઉદાહરણ તરીકે સુસંગત વિસ્તાર અણુસ્ત્રોત એ અણુ લેસર છે તેવું દર્શાવવા માટે કેટલીકવાર અયોગ્ય રીતે વાપરવામાં આવે છે.

રચના (ડિઝાઇન)[ફેરફાર કરો]

મુખ્ય ઘટકો:1. ગેઇન મિડીયમ2. લેસર પંપીંગ ઉર્જા3. હાઇ રિફ્લેક્ટર4. આઉટપુટ કપ્લર5. લેસર બીમ

લેસરમાં અંદરની બાજુ ગેઇન મિડીયમનો સમાવેશ થાય છે, જે ઊંચી પ્રતિબિંબીત ઓપ્ટીકલ કેવીટી ધરાવે છે તેમજ તેનો અર્થ ગેઇન મિડીયમને ઉર્જા પૂરી પાડવી તેવો થાય છે. ગેઇન મિડીયમ એવા ગુણોવાળી ચીજ છે, જે તેને ઉત્તેજિત સ્રાવ દ્વારા પ્રકાશનો વિસ્તાર વધારવામાં મદદ કરે છે. તેના સરળ સ્વરૂપમાં, કેવીટીમાં બે અરીસાઓનો સમાવેશ થાય છે જે એવી રીતે ગોઠવેલા હોય છે કે પ્રકાશ પરિવર્તીત અને આગળ જાય છે, દરેક સમયે તે ગેઇન મિડીયમમાંથી પસાર થાય છે. ખાસ કરીને બે માંથી એક અરીસો, આઉટપુટ કપ્લર, થોડો પારદર્શક હોય છે. આઉટપુટ લેસર બીમ આ અરીસામાંથી બહાર જાય છે.

ચોક્કસ તરંગોલંબાઇ કે જે ગેઇન મિડીયમમાંથી પસાર થાય છે તે વિસ્તરિત (શક્તિમાં વધુ) હોય છે; આસપાસના અરીસાઓ એ વાતની ખાતરી રાખે છે કે મોટા ભાગનો વારંવાર વિસ્તરિત થઇને પ્રકાશ ગેઇન મિડીયમમાંથી પસાર થાય. અરીસાઓ (પોલાણની વચ્ચે)ની વચ્ચેથી પસાર થતા પ્રકાશનો થોડો ભાગ થોડા પારદર્શક અરીસામાંથી પસાર થાય છે અને લાઇટના બીમ તરીકે જતો રહે છે.

એમ્પીલીફિકેશન (વિસ્તરિતતા)માટે જરૂરી ઊર્જા પૂરો પાડવાની પ્રક્રિયાને પંપીંગ કહે છે. ઉર્જાને ખાસ કરીને વિવિધ તરંગોલંબાઇએ ઇલેક્ટ્રીકલ કરંટ અથવા પ્રકાશ તરીકે પૂરી પાડવામાં આવે છે. આ પ્રકારનો પ્રકાશ શક્ય છે કે ફ્લેશ લેમ્પ અથવા કદાચ અન્ય લેસર દ્વારા પૂરી પાડવામાં આવી હોય. મોટા ભાગના વ્યવહારુ લેસરમાં વધારાના તત્વનો સમાવેશ થાય છે, જે પ્રકાશ સ્રાવની તરંગોલંબાઇ અને બીમના આકાર જેવાની લાક્ષણિકતાઓને અસર કરે છે.

લેસરનું ભૌતિક વિજ્ઞાન[ફેરફાર કરો]

કાસ્ટલર-બ્રોસેલ લેબોરેટરી, યુનિવ, પેરિસ 6 ખાતે હિલીયમ-નિયોન પ્રદર્શન. મધ્યમા પડી રહેલા કિરણ એ ઇલેક્ટ્રીક સ્રાવ છે છે, જે નિયોન પ્રકાશની જેમ જ પ્રકાશ પેદા કરે છે. આ ગેઇન મિડીયમ છે, જેના દ્વારા લેસર બીમ નહી પરંતુ લેસર પસાર થાય છે, જે ત્યાં દેખાય છે. લેસર બીમ હવાને છેદે છે અને જમણી બાજુએ સ્ક્રીન લાલ બિંદુનું ચિહ્ન કરે છે.
હિલીયમ નિયોન લેસરનો સ્પેક્ટ્રમ મોટેભાગે તમામ લેસરોમાં સમાયેલી ઊંચી સ્પેક્ટરલ શુદ્ધતા ધરાવે છે. હળવા સ્રાવ ડાયોડના સંબંધિત રીતે બહોળા સ્પેક્ટ્રમને લગતા સ્રાવ સાથે તુલના કરો.

લેસરનું ગેઇન મિડીયમ અંકુશિત શુદ્ધતા, કદ, કેન્દ્રિતતા અને આકારની સામગ્રી છે, જે ઉત્તેજિત સ્રાવ મારફતે બીમમાં વધારો કરે છે. તે કોઇ પણ પ્રકારનો હોઇ શકે છે : વાયુ, પ્રવાહી, નક્કર અથવા પ્લાઝ્મા. ગેઇન મિડીયમ પંપ ઉર્જાને સમાવી લે છે, જે ઊંચી ઊર્જામાં કેટલાક ઇલેક્ટ્રોનમાં વધારો કરે છે ("ઉત્તેજિત") પરિમાણ પ્રકાર. ફોટોનસ અથવા ફોટોન્સ સ્રાવ એમ બન્નેને સમાવતા પાર્ટિકલ્સ લાઇટ સામે આવી શકે છે. સ્રાવ સ્વયંસ્ફુર્ત અથવા ઉત્તેજિત હોઇ શકે છે. બાદના કિસ્સામાં, જેના દ્વારા પ્રકાશ પસાર થાય છે તેમ ફોટોન સમાન દિશામાં સ્રાવ બહાર કાઢે છે. જ્યારે એક રોમાંચક પ્રકારમાં પાર્ટીકલોની સંખ્યા, ઓછા ઊર્જા પ્રકારમાં પાર્ટીકલોની સંખ્યા કરતા વધી જાય ત્યારે વિપર્યય વસ્તી અને સમાવી લેવાની માત્રા કરતા મોટા પ્રમાણમાં પ્રકાશ પસાર થવાથી ઉત્તેજિત સ્રાવની માત્રા હાંસલ થાય છે. તેથી, પ્રકાશમાં વધારો થાય છે. તેની જાતે જ, તે ઓપ્ટિકલ એમ્પ્લીફાયર બનાવે છે. જ્યારે પ્રતિધ્વનિત ઓપ્ટિકલ પોલાણમાં ઓપ્ટિકલ એમ્પ્લીફાયર મૂકવામાં આવે છે ત્યારે જે તે વ્યક્તિ લેસર મેળવે છે.

ઉત્તેજિત સ્રાવ દ્વારા પેદા થતો પ્રકાશ તરંગો લંબાઇ, તબક્કો અને ધ્રુવીકરણની દ્રષ્ટિએ ઇનપુટ સંકેતો જેવા સમાન હોય છે. આ લેસર પ્રકાશને તેની લાક્ષણિક સુસંગતતા પૂરી પાડે છે અને સમાન ધ્રુવીકરણ ટકાવી રાખવા સહાય કરે છે અને કેટલીકવાર ઓપ્ટિકલ કેવીટી ડિઝાઇન દ્વારા સ્થાપિત મોનોક્રોમેટિસિટીમાં પણ સહાય કરે છે.

કેવિટી રિઝોનેટર (ની પાસે મદદ માટે જવું)નો પ્રકાર ઓપ્કિટલ કેવીટી, પ્રતિબિંબીત સપાટીઓ વચ્ચે સુસંગત લાઇટ બીમ ધરાવે છે, જેથી છિદ્ર ઉપાર્જન અથવા ડિફફ્રેક્શન અથવા સમાવી લેવાને કારણે થતા સ્રાવ પહેલા પ્રકાશ પસાર થઇ શકે તે માટે ગેઇન મિડીયમમાંથી પસાર થાય છે તે અગાઉના એક વખત કરતા વધુ હોઇ શકે. પ્રકાશ કેવીટીની અંદર ફરતો હોવાથી, ગેઇન મિડીયમમાંથી પસાર થતો હોવાથી, જો મિડીયમમાં ગેઇન (એમ્પ્લીફિકેશન) રિઝોનેટર નુકસાન કરતા વધુ હોય તો, ફરતા પ્રકાશની શક્તિ તેની સૌથી વધુ માત્રા સુધી વધી શકે છે. પરંતુ દરેક ઉત્તેજિત સ્રાવ ઘટના તેની રોમાંચક સ્થિતિથી લઇને મૂળ સ્થિતિ સુધીનામાંથી પાર્ટીકલ પરત આપે છે, જે વધુ એમ્પ્લીફિકેશન માટે ગેઇન મિડીયમની ક્ષમતામાં ઘટાડો કરે છે. જ્યારે આ અસર મજબૂત બની જાય છે ત્યારે, ગેઇનને પૂર્ણ ભરાઇ ગયેલો (સેચ્યુરેટેડ) કહેવાય છે. ગેઇન સેચ્યુરેશન અને કેવીટી નુકસાન સામે પંપ શક્તિનું સંતુલન કેવીટીની અંદર લેસર ઊર્જાનું સંતુલન મૂલ્ય પેદા કરે છે; આ સંતુલન લેસરનું ઓપરેટિંગ બિંદુ નક્કી કરે છે. જો પસંદ કરેલી પંપ ઊર્જા અત્યંત નાની હોય તો રિઝોનેટર નુકસાનને પહોંચી વળવા ગેઇન પૂરતો થી અને લેસર ફક્ત અત્યંત નાની પ્રકાશ ઊર્જાનો સ્રાવ બહાર કાઢશે. લેસર પગલાં માટે જરૂરી ઓછામાં ઓછી પંપ ઊર્જાને લેઝીંગ થ્રેશહોલ્ડ કહેવાય છે. ગેઇન મિડીયમ તેમાંથી પસાર થતા કોઇ પણ ફોટોન્સને તેની દિશાને ધ્યાનમાં ન લેતા એમ્પ્લીફાય કરશે; પરંતુ કેવીટી અનુસાર ગોઠવાયેલા ફોટોન્સ મિડીયમમાંથી પસાર થવાની વ્યવસ્થા કરે છે અને તેથી નોંધપાત્ર એમ્પ્લીફિકેશન ધરાવે છે.

કેવીટીમાં રહેલા બીમ અને લેસરના ઉત્પાદિત બીમ, જો તે વેવગાઇડને બદલે મુક્ત જગ્યામાં થાય તો (જેમ ઓપ્ટિકલ ફાયબર લેસરમાં હોય છે), તે શ્રેષ્ઠ નીચા ક્રમના ગૌસીયન બીમ કહેવાય છે. જોક શક્તિશાળી લેસરમાં તેવું ભાગ્યે જ બને છે. જો બીમ નીચા ક્રમા ગૌસીયન આકારના ન હોય તો, બીમના ત્રાંસા વળાંકને હર્માઇટ-ગૌસીયન અથવા લાગ્યુરેની શ્રેષ્ઠ સ્થિતિ-ગૌસીયન બીમ તરીકે વર્ણવવામાં આવે છે. (સ્થિર કેવીટી લેસરો માટે). બીજી બાજુ અસ્થિર લેસર રિઝોનેટર્સને ભૂમિતિક આકારના બીમ પેદા કરતા દર્શાવવામાં આવ્યા છે. [૪] બીમ શક્યતઃ વધુ રીતે સમાંતર જગ્યા ધરાવતા હોઇ શકે છે, જે ફંટાયા વિના સમાંતર હોય છે. જોકે, સંપૂર્ણ રીતે સમાંતર જગ્યા ધરાવતા બીમના [[ડિફ્રેક્શન (પ્રકાશના કિરણને ભાંગીને તેના ઘેરા અને આછા પટા અથવા રંગપટ જુદા પાડવાની ક્રિયા)]]ને કારણે સર્જન કરી શકાતું નથી. બીમના વ્યાસના ચોરસ સાથે અલગ પડતા બીમ અંતરે સમાંતર હોય છે અને આખરે બીમ વ્યાસ સાથે વિપરીત રીતે અલગ પડે થે ખૂણે ફંટાઇ જાય છે. આમ હિલીયમ નિયોન લેસર જેવા નાના લેબોરેટરી લેસર દ્વારા પેદા કરાયેલા બીમ જો પૃથ્વીથી લઇને ચંદ્ર સુધી તેજસ્વી હોય તો આશરે 1.6 કિલોમીટર (એક માઇલ)ના વ્યાસમાં ફેલાય છે. તુલના દ્વારા, ખાસ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર લેસરનું નાના વ્યાસના કારણે થતું ઉત્પાદન 50°ના ખૂણા સુધી છિદ્રો છોડે કે મોટે ફંટાઇ જાય છે. જોકે, આ પ્રકારના ફંટાઇ ગયેલા બીમે લેન્સના અર્થામં સમાંતરીત બીમમાં સ્થાપિત કરી શકાય નહી. તેના વિરુદ્ધ, લેસર વિનાના પ્રકાશ સ્રોતોમાંના પ્રકાશને ઓપ્ટિક્સ દ્વારા સમાંતરિત કરી શકાય નહી.

પરિમાણ ફિઝિક્સ દ્વારા શોધવામાં આવેલી લેસર અસાધારણ હોવા છતા, તે અન્ય પ્રકાશ સ્રોતો કરતા આવશ્યક પણે વધુ પરિમાણ યાંત્રિક નથી. મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન લેસરની કામગીરી પરિમાણ મિકેનિક્સનો ઉલ્લેખ કર્યા વિના સમજાવી શકાય છે.

કામગીરીના પ્રકારો[ફેરફાર કરો]

લેસરનું ઉત્પાદન શક્યતઃ ક્યુ સ્વીચીંગ, મોડલોકીંગ અથવા ગેઇન-સ્વીચીંગનો ઉપયોગ કરીને સતત એમ્પ્લીટ્યુડ ઉત્પાદન (જે સીડબ્લ્યુ અથવા સતત તરંગો તરીકે ઓળખાય છે); અથવા યોગ્ય રીતે વિસ્તરણ થાય છે. વિસ્તરણ કામગીરીમાં, વધુ ટોચ ધરાવતી શક્તિ મેળવી શકાય છે.

લેસરના કેટલાક પ્રકારો જેમ કે ડાય લેસર્સ અને વાઇબ્રોનિક નક્કર કક્ષાના લેસર્સ વ્યાપક શ્રેણીના તરંગોલંબાઇ પર પ્રકાશનું ઉત્પાદન કરી શકે છે; આ ગુણ તેમને થોડી સેકંડો (ફેમોસેકંડ) (10-15માં પ્રકાશના અત્યંત ટૂંકા સ્પંદનો પેદા કરવા માટે યોગ્ય બનાવે છે.

સતત તરંગ કામગીરી[ફેરફાર કરો]

કામગીરીના સતત તરંગો (સીડબ્લ્યુ) પ્રકારમાં, લેસરનું ઉત્પાદન સંબંધિત રીતે સમય અનુસાર સતત હોય છે. લેસીંગ માટે વસ્તી વિપર્યય સ્થિર પંપ સ્ત્રોત દ્વારા સતત ટકાવવામાં આવે છે.

ક્ષણિક કામગીરી[ફેરફાર કરો]

કામગીરીના ક્ષણિક પ્રકારમાં, લેસરનું ઉત્પાદન સમય અનુસાર બદલાય છે, ખાસ કરીને "ચાલુ" અને "બંધ" વિકલ્પોનું સ્વરૂપ ધારણ કરે છે. ઘણા ઉપયોગોમાં જે તે વ્યક્તિ શક્ય હોય એટલા ઓછા સમયમા આપેલી જગ્યામાં શક્ય હોય તેટલી વધુ ઉર્જા નાખવાનો ઉદ્દેશ ધરાવે છે. ઉદાહરણ તરીકે લેસર ઘટાડામાં, જેની પર કામ કરવામાં આવે છે તેવા ટુકડા પર સામગ્રીનો નાનો જથ્થો જો થોડા સમયમાં તેની જરૂરી ઊર્જા કરતા વધુ પડતી મેળવી લે તો કદાચ વરાળ થઇ ઉડી જાય છે. જો, આમ છતાં, સમાન ઉર્જા લાંબા સમય સુધી ફેલાય તો, ગરમીને ટુકડાના મોટા ભાગમાં અદ્રશ્ય થઇ જવાનો સમય મળી જાય છે અને ઓછી સામગ્રી વરાળ થાય છે. આ હાંસલ કરવા માટે અસંખ્ય પદ્ધતિઓ છે.

ક્યુ સ્વીચીંગ[ફેરફાર કરો]

ક્યુ-સ્વીચ્ડ લેસર, વસ્તી વિપર્યય (સામાન્ય રીતે સીડબ્લ્યુ કામગીરીની જેમ જ ઉત્પાદિત થયેલું હોય છે)ને લેસીંગ માટે કેવીટી પરિસ્થિતિ (ક્યુ) બિનતરફેણકારી બનાવીને રચના થવાની મંજૂરી અપાય છે. ત્યાર બાદ, જ્યારે લેસર મિડીયમમાં પંપ ઉર્જાને ઇચ્છીત સ્તર સુધી સંગ્રહીત કરવામાં આવે છે, ત્યારે 'ક્યુ' તરફેણકારી પરિસ્થિતિમાં સ્પંદનો છૂટા કરતા ગોઠવાયેલા (ઇલેક્ટ્રો-અથવા એકોસ્ટો-ઓપ્કિટલી) હોય છે. લેસર (જ્યારે સીડબ્લ્યુ મોડમાં ચાલતી હતી)ની સરેરાશ ઉર્જા ટૂંકા સમયગાળામાં સંગ્રહીત હોય છે તેથી ઊંચી ઉર્જામાં પરિણમે છે.

મોડલોકીંગ[ફેરફાર કરો]

મોડલોક્ડ લેસર ફેમોસેકંડના 10મા ભાગ કરતા ઓછા પિકોસેકંડના દશમાં ભાગ જેટલા ક્રમમાં અત્યંત ઓછા સ્પંદનોનો સ્રાવ બહાર મોકલે છે. આ સ્પંદનો ખાસ કરીને સમય દ્વારા અલગ થયેલા હોય છે, જેમ કે સ્પંદનને રિઝોનેટર કેવીટીમાં એક ગોળાકાર પસાર થવામાં સમય લાગે છે. ફૌરિયર (ફ્રેંચ ગણિતશાસ્ત્રી) મર્યાદા (ઉર્જા સમય અચોક્કસતા તરીકે પણ જાણીતી), એવું સ્પંદન છે કે જેની ટૂંકી થોડી લંબાઇ વ્યાપ ધરાવે છે, જે બહોળી શ્રેણીના તરંગોલંબાઇઓ ધરાવે છે. તેના કારણે, લેસર મિડીયમ પૂરતા પ્રમાણમાં બહોલો ગેઇન પ્રોફાઇલ ધરાવતો જ હોવો જોઇએ, જેથી તે દરેકને એમ્પ્લીફાય કરી શકાય. યોગ્ય સામગ્રીનું ઉદાહરણ ટિટેનીયમ-પ્રવાહી, કૃત્રિમ રીતે પેદા થયેલું નીલમ (ટી:નીલમ).

અત્યંત ઝડપી સમયના ધોરણે થતી સંશોધન પ્રક્રિયા માટે મોડલોક્ડ લેસર સર્વતોમુખી સાધન છે જે ફેમ્ટોસેકંડ ફિઝિક્સ, ફેમ્ટોસેકંડ રસાયણ અને અત્યંત ઝડપી વિજ્ઞાન તરીકે પણ ઓળખાય છે, જેનાથી ઓપ્ટિકલ સામગ્રી (ઉદાહરણ તરીકે સેકંડ હાર્મોનિક જરેશન, ઓપ્ટિકલ પેરામેટ્રિક ઓસિલેટર અને તેના જેવા)માં બિનરૈખિકતાની અને ઘટાડતરફી ઉપયોગોની અસરોને ઝડપી બનાવી શકાય. ફરીથી, ટૂંકા ગાળાનો સમાવેશ થયેલો હોવાથી આ લેસરો અત્યંત ઊંચી ઉર્જા પ્રાપ્ત કરી શકે છે.

સ્પંદનીય પંપીંગ[ફેરફાર કરો]

લેસર સામગ્રીને પોતાની અંદરજ સ્પંદન ધરાવતા સ્ત્રોત, જેમ કે ફ્લેશ લેમ્પસ અથવા અન્ય લેસર કે જે પહેલેથી જ સ્પંદનો ધરાવતો હોય તેવા કિસ્સામાં ઇલેક્ટ્રોનીક ચાર્જીંગ મારફતે સ્પંદન લેસર કામગીરી પ્રાપ્ત કરવાની અન્ય પદ્ધતિ છે. સ્પંદનીય પંપીંગનો ભૂતકાળામાં ડાય લેસર સાથે ઉપયોગ થતો હતો, જ્યાં ડાય મોલેક્યુલસનો પરાવૃત વસ્તી જીવનકાળ અત્યંત ટૂંકો હતો, જેથી ઊંચી ઉર્જા, ઝડપી પંપની જરૂરિયાત હતી.

આ સમસ્યાને પહોંચી વળવાનો માર્ગ એટલે મોટા કેપેસીટરોને ચાર્જ કરવા, જે ત્યાર બાદ વિશાળ વ્યાપમાં પંપ ફ્લેશનું ઉત્પાદન કરતા ફ્લેશલેમ્પસ મારફતે ડિસ્ચાર્જ થવાનો પ્રારંભ કરે છે. સ્પંદનીય પંપીંગ પણ લેસરો માટે જરૂરી છે, જે ટૂંકા ગાળા માટે લેઝીંગને અટકી જવાનું હોય છે તેવી લેસર પ્રક્રિયા દરમિયાન ગેઇન મિડીયમને ઘણા અંતરાય ઊભા કરે છે.  આ લેસરો, જેમ કે એક્ઝિમર લેસર અને કોપર વેપોર લેસરોને કદી પણ સીડબ્લ્યુ મોડમાં ચલાવી શકાતા નથી.

ઇતિહાસ[ફેરફાર કરો]

સ્થાપના[ફેરફાર કરો]

1917 માં, આલ્બર્ટ આઇન્સસ્ટાઇને ઝૂર ક્વાન્ટેનથિયોરિક ડેર સ્ટ્રાહલંગ (રેડિયેશનની ક્વોન્ટમ થિયરી પર) પેપરમાં લેસર (LASER) અને મેસર(MASER) માટેના થિયોરોટિક મૂળ નાખ્યા હતા (સ્થાપના કરી હતી); મેક્સ પ્લાન્કના રેડિયેશનના કાયદાના પુનઃપેદાશીકરણ, કે જે ધારણ કરવા માટે, સ્વયંસ્ફુરીત સ્રાવ અને ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશના ઉત્તેજિત સ્ત્રાવ માટે સંભવિતતા સાતત્ય (આઇન્સસ્ટાઇન સાતત્યતા) પર આધારિત હતો; 1928 માં, રુડોલ્ફ ડબ્લ્યુ. લાદેનબર્ગે ઉત્તેજિત સ્ત્રાવ અને નકારાત્મક દત્તકતાની અસાધારણ ઘટનાના અસ્તિત્વ અંગ સમર્થન આપ્યુ હતું. ;[૫] 1939 માં, વેલેન્ટિન એ. ફેબ્રીકાન્તે શોર્ટ તરંગોને એમ્પ્લીફાય કરવા માટે ઉત્તેજિત સ્રાવના વપરાશી આગાહી કરી હતી;[૬] 1947 માં, વિલી ઇ. લેમ્બ અને આર.સી. રેથરફોર્ડે હાઇડ્રોજન સ્પેક્ટ્રામાં દેખીતા ઉત્તેજિત સ્ત્રાવ અને ઉત્તેજિત સ્ત્રાવના અસર પામેલા પ્રથમ દેખાવને શોધી કાઢ્યો હતો; [૭] 1950 માં, આલ્ફ્રેડ કેસલરે (ફિઝિક્સ માટે નોબેલ ઇનામ મેળવનાર 1966) ઓપ્ટિકલ પંપીંગ પદ્ધતિની દરખાસ્ત કરી હતી, જે બે વર્ષ બાદ બ્રોઝલ, કેસલર અને વિન્ટર દ્વારા પ્રાયોગિક રીતે સાબિત થઇ ચૂકી હતી.[૮] 16 મે 1960 ના રોજ, થિયોડોર મેમણે હ્યુજીસ રિસર્ચ લેબોરેટરી ખાતે પ્રથમ કાર્યરત લેસરનું પ્રદર્શન કર્યું હતું, [૯] અને કોમ્પેક્ટ ડિસ્ક પ્લેયર અને ડીવીડી પ્લેયર જેવા ઓપ્ટિકલ સ્ટોરેજ ઘટક મારફતે ડેટા સંગ્રહ કરવા માટે મોટે ભાગ વપરાતી ટેકનોલોજી અમલમાં મૂકી હતી, જેમાં એક મિલીમીટર પહોળા કરતા પણ નાના સેમિકન્ડક્ટર લેસર ડિસ્કની સપાટીનું સ્કેન કરે છે; બીજો સૌથી મોટો ઉપયોગ ફાયબર ઓપ્ટિક સંદેશાવ્યવહાર, અને સંબંધિત ઘટકો છે, ઉદાહરણ તરીકે બાર કોડ વાંચનાર, લેસર પ્રિન્ટર, લેસર પોઇન્ટર. (સંદર્ભ આપો)

મેસર[ફેરફાર કરો]

1953માં, ચાર્લ્સ એચ. ટોવન્સ અને સ્નાતક વિદ્યાર્થીઓ જેમ્સ પી. ગોર્ડન અને હર્બર્ટ જે. ઝેઇગરે સૌપ્રથમ માઇક્રોવેવ એમ્પ્લીફાયરનું ઉત્પાદન કર્યું હતું, જેની કામગીરી લેસરના સિદ્ધાતો જેવી જ હતી - પરંતુ તે ઇન્ફ્રારેડ અથવા વિઝીબલ રેડિયેશનને બદલે માઇક્રોવેવ એમ્પ્લીફાય કરતું હતું; છતાં, ટોવન્સનું મેસર સતત ઉત્પાદન કરવા માટે સક્ષમ ન હતું. દરમિયાનમાં, સોવિયેત સંઘ, નિકોલે બાસોવ અને એલેક્ઝાન્ડર પ્રોખોરોવ સ્વતંત્રપણે પરિમાણ ઓક્સિલેટર પર કામ કરતા હતા, અને તેમણે જ્યારે બે કરતા ઉર્જા ધોરણોનો ઉપયોગ કરીને સતત ઉત્પાદન પદ્ધતિની સમસ્યાનો હલ શોધી લીધો ત્યારે પ્રથમ મેસર (MASER)નું ઉત્પાદન કર્યું હતું. આ મેસર (MASER) પદ્ધતિ મૂળ વિસ્તારમાં પડ્યા વિના ઉત્તેજિત સ્રાવને છૂટા કરી શક્યા હોત, આમ વસ્તી વિપર્યય જાળવી રાખવામાં આવ્યો હતો. 1955માં, પ્રોખોરોવ અને બાસોવે વસ્તી વિપર્યય પ્રાપ્ત કરવાની પદ્ધતિ તરીકે મલ્ટી લેવલ સિસ્ટમના ઓપ્ટિકલ પંપીંગનું સુચન કર્યું હતું, બાદમાં તે લેસર પંપીંગની મુખ્ય પદ્ધતિ સાબિત થઇ હતી.

ટોવન્સના અહેવાલ અનુસાર તેમની વિવિધ શિક્ષણક્ષેત્રના વિખ્યાત સહાધ્યાયીઓ દ્વારા વિરોધ કરવામાં આવ્યો હતો, તેમાં નેઇલ્સ બોહર, જોહ્ન વોન ન્યુમેન, ઇસિડોર રબિ, પોલીકાર્પ કુશ, અને લેવેલીન એચ. થોમસનો સમાવેશ થાય છે, તેમણે એવી દલીલ કરી હતી કે થિયોરેટિકલી મેસર (MASER) અશક્ય હતું.[૧] 1964માં, ચાર્લ્સ એચ. ટોવન્સ, નિકોલે બાસોવ અને એલેકસેન્ડ્ર પ્રોખોરોવે પરિમાણ ઇલેક્ટ્રોનીક્સમાં મૂળભૂત કાર્ય કરવા બદલ ફિઝીક્સમાં નોબેલ ઇનામ વહેંચી લીધુ હતું, આ કાર્ય અંતે મેસર-લેસરના સિદ્ધાંત પર આધારિત ઓસીલેટર્સ અને એમ્પ્લીફાયરની રચનામાં પરિણમ્યું હતું.

લેસર[ફેરફાર કરો]

1957માં, ચાર્લ્સ હાર્ડ ટોવન્સ અન આર્થર લિયોનાર્ડ શોલોવે, બેલ લેબ્સ ખાતે, ઇન્ફ્રારેડ લેસરના ગંભીર અભ્યાસનો પ્રારંભ કર્યો હતો. જેમ ખ્યાલો વિકસતા ગયા, તેમણે વિઝીબલ લાઇટ પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કરવા માટે ઇન્ફ્રારેડ રેડીયેશનને અધવચ્ચેથી છોડી દીધું હતું. આ વિચારને મૂળભૂત રીતે ઓપ્ટિકલ “મેસર” કહેવામાં આવે છે. 1958માં બેલ લેબ્સે તેમની સુચિત ઓપ્ટિકલ મેસરના ઉપયોગ માટે પેટન્ટ ફાઇલ કરી હતી; અને શોલોવ અને ટોવન્સે તે વર્ષે વોલ્યુમ 112, ઇસ્યુ ન 6માં પ્રકાશિત થયેલ ફિઝીકલ રિવ્યૂ પરની થિયરોટીકલ ગણતરીઓની હસ્તપ્રત જમા કરાવી હતી.

ચિત્ર:Gould notebook 001.jpg
લેસર નોટબુકઃ: નોટબુકનું પ્રથમ પૃષ્ઠ કે જેમાં ગોર્ડોન ગૌલ્ડે લેસરના એક શબ્દનો ઉલ્લેખ કર્યો હતો અને ઘટના નિર્માણ માટે ટેકનોલોજિક તત્વોનુ વર્ણન કર્યું હતું.

તેની સાથે, કોલંબીયા યુનિવર્સિટીના સ્નાતક વિદ્યાર્થી ગોર્ડન ગૌલ્ડ ડોક્ટરલ થિસીસ પર રોમાંચક થેલિયમના ઉર્જા સ્તરો વિશે કામ કરતા હતા. જ્યારે ગૌલ્ડ અન ટોવન્સ મળ્યા ત્યારે, તેમણે રેડિયેશન સ્રાવની એક સમાન્ય વિષય તરીકે વાત કરી હતી; ત્યાર બાદ નવેમ્બર 1957માં ગોલ્ડે "લેસર" માટેના તેના વિચારો નોંધ્યા હતા, જેમાં ખુલ્લા રિઝોનેટર (બાદમાં આવશ્યક લેસર ઘટક પૂર્જા)ના ઉપયોગનો પણ સમાવેશ થતો હતો. વધુમાં, 1958માં, પ્રોખોરોવે સ્વતંત્રપણે ખુલ્લા રિઝોનેટરનો ઉપયોગ કરવાની દરખાસ્ત મૂકી હતી, જે સૌપ્રથમ આ વિચારનો પ્રકાશિત રજૂઆત (યુએસએસઆર) હતી. અન્યત્ર, યુએસમાં, શોલોવ અને ટોવન્સ ખુલ્લા રિઝોનેટર ડિઝાઇન બાબતે સંમત થયા હતા - જે દેખીતી રીતે જ પ્રોખોરોવના પ્રકાશન અને ગૌલ્ડના બિનપ્રકાશિત લેસર કામથી અજાણ હતા.

1959માં યોજાયેલા પરિસંવાદમાં, ગોર્ડોન ગોલ્ડે ધી લેસર, લાઇટ એમ્પ્લીફિકેશન બાય સ્ટિમ્યુલેટેડ એમિસન ઓફ રેડિયેશન નામના પેપરમાં શબ્દ લેસર (LASER) પ્રકાશિત કર્યો હતો. [૧૦][૧૧] ગોલ્ડનો ભાષાશાસ્ત્રીય ઇરાદો “-aser” શબ્દ પ્રત્યત તરીકે ઉપયોગ કરવાનો હતો - જેથી લેસર (LASER) ઘટક દ્વારા બહાર કાઢવામાં આવેલા સ્રાવના વ્યાપનો યોગ્ય પણે નિર્દેશ કરી શકાય; આમ એક્સ રે: એક્સેસર , અલ્ટ્રાવાયોલેટ: યુવેસર , વગેરે; જેમાંના કોઇ પણે તેમની જાતે પૃથ્થક શબ્દ તરીકે પ્રસ્થાપિત કર્યો ન હતો, જો કે “રેઝર” સંક્ષિપ્તપણે રેડિયો ફ્રિક્વન્સી સ્ત્રાવ ઘટક નિર્દેશ તરીકે પ્રખ્યાત છે.

ગોલ્ડની નોંધોમાં લેસરના શક્ય ઉપયોગો જેમ કેસ્પેક્ર્ટોમીટ્રી, ઇન્ટરફેરોમેટ્રી, રડાર, અને ન્યુક્લિયર ફ્યુઝનનો સમાવેશ થાય છે. તેમણે આ વિચારને વિકસાવવાનું સતત રાખ્યું હતું અને એપ્રિલ 1959માં પેટન્ટ એપ્લીકેશન ફાઇલ કરી હતી. યુ.એસ. પેટન્ટ ઓફિસે તેમની અરજી નકારી કાઢી હતી અને 1960માં બેલ લેબ્સને એનાયત કરી હતી. તેના કારણે 28 વર્ષનો કાનૂનીદાવો ઊભો થયો હતો, જેમાં હિસ્સા તરીકે વૈજ્ઞાનિકની પ્રતિષ્ઠા અને નાણાં એમ બન્ને દાવ પર લાગ્યા હતા. ગોલ્ડ તેમની પ્રથમ નાની પેટન્ટ 1977માં જીતી ગયા હતા અને 1987 સુધી કોઇ આ પ્રથમ દાવા સિવાય કંઇ જ જીત્યા ન હતા, જે નોંધપાત્ર પેટન્ટ કાનૂનીદાવા જીત હતી, જ્યારે ફેડરલ ન્યાયમૂર્તિએ યુએસ પેટન્ટ ઓફિસને ગૌલ્ડને ઓપ્ટિકલી પંપ્ડ અને ગેસ ડિસ્ચાર્જ લેસર ઘટક માટે પેટન્ટ આપવાનો આદેશ આપ્યો હતો.

1960માં, થિયોડોર એચ.મેમણે, હ્યુજીસ રિસર્ચ લેબોરેટરીઝ, માલિબુ, કેલિફોર્નિયા ખાત વિવિધ સંશોધન જૂથ સાથે સૌપ્રથમ કાર્યરત લેસર (LASER)ની રચના કરી હતી, આ જૂથમાં કોલંબીયા યુનિવર્સિટી ખાતે, ટોવન્સ, બેલ લેબ્સ, ખાતે આર્થર શોલો અને ટીઆરજી (તકનિકી રિસર્ચ ગ્રુપ) કંપની ખાતે [૧૨]ગૌલ્ડનો સમાવેશ થાય છે. મેમણના કાર્યરત લેસર (LASER)માં નક્કર એવા ફ્લેશલેમ્પ-પંપ્ડ, સિંથેટિક રુબી ક્રિસ્ટલનો 694 નાનોમીટરની તરંગોલંબાઇએ લાલ લેસર પ્રકાશનુ ઉત્પાદન કરવા ઉપયોગ કરાયો હતો; જોકે, આ ઘટક તેની ત્રણ સ્તરીય પંપીંગ ડિઝાઇન યોજનાને કારણે ફક્ત સ્પદંનીય કામગીરી માટે જ સક્ષમ હતું. 1960ના અંતમાં, ઇરાનના ભૌતિકશાસ્ત્રી અલી જવાન, અને વિલીયમ આર. બેન્નેટ્ટ, અને ડોનાલ્ડ હેરિયોટે, હિલીયમ અને નિયોનનો ઉપયોગ કરીને સૌપ્રથમ ગેસ લેસર બનાવ્યું હતું; બાદમાં, જવાને 1993માં આલ્બર્ટ આઇન્સસ્ટાઇન એવોર્ડ પ્રાપ્ત કર્યો હતો. બાસોવ અને જવાને સેમીકન્ડક્ટર લેસર ડાયોડ વિચારની દરખાસ્ત મૂકી હતી. 1962માં, રોબર્ટ એન.હોલે સૌપ્રથમ લેસર ડાયોડ ઘટકનું નિદર્શન કર્યું હતું, જેને ગેલીયમ આર્સેનાઇડ દ્વારા બનાવવામાં આવ્યું હતું અને 650 એનએમ નજીક સ્પેક્ટ્રમના ઇન્ફ્રારેડ બેન્ડ સ્રાવ બહાર કાઢવામાં આવ્યા હતા. બાદમાં, 1962માં, નિક હોલોનયાક, જુનિયરે દેખીતા સ્રાવ સાથે સૌપ્રથમ સેમીકન્ડક્ટર લેસરનુ નિદર્શન કર્યું હતું; અગાઉના ગેસ લેસર ઘટકની જેમ, અગાઉના સેમીકન્ડક્ટર લેસરનો ઉપયોગ સ્પંદનીય બીમ કામગીરીમાં અને લિક્વીડ નાઇટ્રોજન તાપમાન સુધી ઠંડુ (77˚K) પાડવામાં જ થઇ શક્યો હતો. 1970માં, યુએસએસઆરમાં હોર્સ આલ્ફેરો અને બેલ ટેલિફોન લેબોરેટરીના ઇઝૌ હયાશી અને મોર્ટોન પેનિશે પણ સ્વતંત્રપણે હિટીરોજંકશન માળખાનો ઉપયોગ કરીને ખંડનું તાપમાન, ડાયોડ લેસરની સતત કામગીરી વિકસાવી હતી.

તાજેતરની શોધો[ફેરફાર કરો]

છેલ્લા 40 વર્ષોમાં વધુમાં વધુ લેસર પલ્સ ઉગ્રતાનો ઇતિહાસ દર્શાવતો ગ્રાફ.

લેસર ઇતિહાસના અગાઉના સમયમાં લેસર સંશોધને અસંખ્ય સુધારેલા અને ખાસ લેસર પ્રકારોનું ઉત્પાદન કર્યું હતું તેનો વિવિધ કામગીરીના લક્ષ્યાંકો માટે મહત્તમ ઉપયોગ થયો હતો તેમાં નીચેનાનો સમાવેશ થાય છે:

  • નવા તરંગોલંબાઇ બેન્ડઝ
  • મહત્તમ સરેરાશ ઉત્પાદન શક્તિ
  • મહત્તમ ઊંચુ શક્તિ ઉત્પાદન
  • લઘુત્તમ સ્પંદનીય ગાળા ઉત્પાદન
  • મહત્તમ શક્તિ કાર્યક્ષમતા
  • મહત્તમ ચાર્જીંગ
  • મહત્તમ ફાયરીંગ
  • લઘુત્તમ ખર્ચ

અને આ સંશોધન આજ દિન સુધી સતત રહ્યું છે.

વસ્તી વિપર્યયમાં સ્થિત લેસરની કામગીરી વિનાનું માધ્યમ જાળવી રાખવાની પદ્ધતિ સોડીયમ ગેસમાં 1992માં શોધાઇ હતી અને 1995માં ફરી વાર વિવિધ આંતરરાષ્ટ્રીય જૂથો દ્વારા રુબીડિયમમાં શોધાઇ હતી. ગ્રાઉન્ડ ઇલેક્ટ્રોન્સ માટેનું મળતાપણું જે તે ઉર્જા મળવે તે રદ થઇ જાય તે માટે બે પાથ વચ્ચે ગ્રાઉન્ડ ઇલેક્ટ્રોન ટ્રાન્ઝીશનમાં અમલી બનાવીને અને વિનાશાત્મક રીતે દરમિયાનગીરી કરીને માધ્યમમાં ઓપ્ટિકલ પારદર્શકતા લાવવા માટે બાહ્ય મેસરનો ઉપયોગ કરીને તેમાં કુશળતા પ્રાપ્ત કરવામાં આવી હતી.

પ્રકારો અને કામગીરી સિદ્ધાંતો[ફેરફાર કરો]

લેસરના પ્રકારોની વધુ સંપૂર્ણ યાદી માટે આ લેસર પ્રકારોની યાદી જુઓ.
વ્યાપારી રીતે ઉપલબ્ધ લેસરોની તરંગોલંબાઇઓ. તરંગોલંબાઇ બારની ઉપર ચોક્કસ લેસરની રેખા સાથે લેસરનો પ્રકાર છે, જ્યારે નીચે દર્શાવેલા લેસરો કે જે તરંગોલંબાઇ રેન્જમાં સ્રાવ બહાર કાઢી શકે છે.રંગો લેસર સામગ્રીઓના પ્રકારને ઓળખી બતાવે છે (વધુ વિગત માટે આકૃતિ વર્ણન જુઓ).

ગેસ લેસર્સ[ફેરફાર કરો]

ગેસ લેસર અસંખ્ય ગેસનો ઉપયોગ કરે છે જે બંધાયેલા હોય છે અને અસંખ્ય હેતુઓ માટે તેનો ઉપયોગ થાય છે.

હિલીયમ નિયોન લેસર (HeNe) વિવિધ પ્રકારના તરંગોલંબાઇ અને યુનિટોનો સ્રાવ બહાર કાઢે છે, જે 633 એનએમમાં કામ કરે છે અને નીચો ખર્ચ હોવાના કારણે શિક્ષણમાં સર્વસામાન્ય છે.

કાર્બન ડાયોક્સાઇડ લેસર 9.6 µm અને 10.6 µm પર હજ્જારો કિલોવોટસ[૧૩] સ્રાવ કાઢી શકે છે અને તેનો ઉપયોગ ઉદ્યોગમાં કટીંગ અને વેલ્ડીંગ માટે થાય છે. સીઓ 2 લેસરની કાર્યક્ષમતા 10 ટકાથી વધુ હોય છે.

એર્ગોનીયોન લેસર 351-528.7 એનએમની કક્ષામાં પ્રકાશનો સ્રાવ બહાર મોકલે છે. ઓપ્ટિક્સ અને લેસર ટ્યુબ પર આધાર રાખતા વિવિધ પ્રકારની રેખાઓનો ઉપયોગ કરી શકાય છે પરંતુ જજેનો મોટે ભાગે ઉપયોગ થાય તેવી રેખાઓ 458 એનએમ, 488એનએમ અને 514.5 એનએમ છે.

નાઇટ્રોજન વાતાવરણીય દબાણ પર ગેસમાં ટ્રાન્સવર્સ ઇલેક્ટ્રીકલ ડિસ્ચાર્જ (ટીઇએ) લેસર બિનખર્ચાળ ગેસ લેસર છે, જે 337.1 એનએમ પર UV પ્રકાશ પેદા કરે છે. [૧૪]

ધાતુ આયોન લેસર્સ ગેસ લેસર્સ છે જે ઊંડા અલ્ટ્રાવાયોલેટ તરંગલંબાઇ પેદા કરે છે. હિલીયમ-ચાંદી (HeAg) 224 એનએમ અને નિયોન-તાંબુ (NeCu) 248 એનએમ બે ઉદાહરણો છે. આ લેસરો ખાસ કરીને સાંકડા ઓક્સીલેશન રેખાપહોળાઇ ધરાવે છે, જે 3 જીએચઝેડ (0.5 પિકોમીટર્સ)[૧૫] કરતા ઓછી હોય છે, જે તેમને ફ્લોરોસીનથી દબાયેલા રમન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપીમાં વપરાશ યોગ્ય બનાવે છે.

કેમિકલ લેસર્સ[ફેરફાર કરો]

કેમિકલ લેસરો કેમિકલ પ્રતિક્રિયાથી સજ્જ છે અન સતત કામગીરીમાં ઊંચી શક્તિ મેળવી શકે છે. ઉદા. તરીકે, હાઇડ્રોજન ફ્લોરાઇ઼ લેસર (2700-2900 એનએમ) અને ડિયુટેરિયમ ફ્લોરાઇડ લેસર (3800 એનએમ) પ્રતિક્રિયા હાઇડ્રોજન અથવા ડિયુટેરિયમ ગેસનું મિશ્રણ છે, જેમાં નાઇટ્રોજન ટ્રિફ્લરાઇડમાં ઇથેલીનની જ્વલન પેદાશો સાથે હોય છે. તેમની શોધ જ્યોર્જ સી.પિમેન્ટેલ દ્વારા કરવામાં આવી હતી.

એક્ઝીમેર લેસર્સ[ફેરફાર કરો]

એક્ઝીમેર લેસર્સ કેમિકલ પ્રતિક્રિયાથી સજ્જ હોય છે, જેમાં ઉત્તેજિત ડીમર , અથવા એક્ઝીમેર નો સમાવેશ થાય છે, જે ટૂંકુ અસ્તિત્વ ધરાવતું ડિમેરિક અથવા હીટરોડિમેરિક મોલેક્યુલ કે જેની રચના બે જાતિઓ (અણુઓ) દ્વારા થઇ હોય છે, જેમાંનું ઓછામાં ઓછુ એક ઉત્તેજિત ઇલેક્ટ્રોનીક સ્થિતિમાં હોય છે. તે ખાસ કરીને અલ્ટ્રવાયોલેટ પ્રકાશ પેદા કરે છે અને તેનો ઉપયોગ સેમીકન્ડક્ટર ફોટોલિથોગ્રાફી અને લાસિક(LASIK) આંખ વાઢકાપમાં થાય છે. સામાન્ય રીતે ઉપયોગ થતા એક્ઝીમેર મોલેક્યુલસમાં એફ2 (ફ્લોરાઇન, 157 એનએમ પર સ્રાવ બહાર કાઢે છે), અને નોબલ ગેસ કંપાઉન્ડઝ (એઆરએફ [193 એનએમ], કેઆરસી1 [222 એનએમ], કેઆરએફ [248 એનએમ], એક્સઇસી1 [308 એનએમ], અને એક્સઇએફ [351 એનએમ])નો સમાવેશ થાય છે.[૧૬]

નક્કર સ્થિતિના લેસરો[ફેરફાર કરો]

નક્કર સ્થિતિના લેસર સામગ્રી સામાન્ય રીતે "ડોપીંગ" ક્રિસ્ટલાઇન સોલિડ હોસ્ટ સાથે જરૂરી ઉર્જા સ્થિતિ પૂરી પાડનાર આયન્સ દ્વારા બનાવવામાં આવે છે. ઉદાહરણ તરીકે પ્રથમ કામ કરતું લેસર રુબી લેસર હતું, જે રુબી (ક્રોમીયમ-ડોપ્ડ કોરુન્ડમ)માંથી બનાવવામાં આવ્યું હતું. વસ્તી વિપર્યયને ખરેખર "ડોપન્ટ" જેમ કે ક્રોમીયમ અથવા નિયોડીમીયમમાં જાળવી રાખવામાં આવે છે. અગાઉ, નક્કર સ્થિતિના લેસરોના વર્ગમાં નક્કર સ્થિતિમાં સક્રિય માધ્યમ (ફાયબર)ની જેમ ફાયબર લેસરનો પણ સમાવેશ કરવામાં આવે છે. વ્યવહારુ રીતે, વૈજ્ઞાનિક સાહિત્યમાં, નક્કર સ્થિત લેસરનો સામાન્ય રીતે મોટા જથ્થામાં સક્રિય માધ્યમ સાથે લેસર તરીકે થાય છે, જ્યારે તરંગો-માર્ગદર્શક લેસરને ફાયબર લેર તરીકે કહેવામાં આવે છે.

"સેમીકન્ડક્ટર લેસર્સ" પણ નક્કર સ્થિતિના લેસરો છે, પરંતુ કસ્ટમરી લેસરના અર્થમાં, "નક્કર સ્થિતિ લેસર"માં સેમીકન્ડક્ટર લેસરો, કે જેમને પોતાનું નામ છે તેનો સમાવેશ થતો નથી.

નિયોડીયમ વિવધ નક્કર સ્થિતિ લેસર ક્રિસ્ટલ્સમાં સામાન્ય "ડોપન્ટ" છે, જેમાં યટ્રીન ઓર્થોવાનાડેટ (એનડી:વાયવીઓ4), યટ્રીમ લિથીયમ ફ્લોરાઇડ (Nd:YLF) અને યટ્રીમ એલ્યુમિનીયમ ગાર્નેટ (Nd:YAG)નો સમાવેશ થાય છે. આ તમામ લેસરો ઇન્ફ્રારેડ સ્પેક્ટ્રમમાં 1064 એનએમ પર ઊંચી શક્તિ પેદા કરી શકે છે. તેનો ઉપયોગ કટીંગ, વેલ્ડીંગ અને ધાતુઓ અને અન્ય સામગ્રીઓ પર ચિહ્ન કરવા માટે અને સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી અને ડાય લેસરમાં પંપીંગ માટે પણ ઉપયોગ થાય છે. આ લેસરો સામાન્ય રીતે 532 એનએમ (ગ્રીન), વીઝીબલ, 355 એનએમ (યુવી) અને 266 એનએમ (યુવી) પ્રકાશ, જ્યારે તે તરંગોલંબાઇઓની જરૂરિયાત હોય ત્યારે પેદા કરવા માટે ફ્રીક્વન્સી બમણી, ત્રણગણી ચારગણી હોઇ શકે છે.

યટ્ટેર્બીયમ, હોલમિયમ, થુલીયમ, અને એર્બીયમ નક્કર સ્થિતિ લેસરોમાં અન્ય સામાન્ય "ડોપન્ટસ" છે. યટ્ટેરબીયમનો ઉપયોગ ક્રિસ્ટલ્સ જેમ કે Yb:YAG, Yb:KGW, Yb:KYW, Yb:SYS, Yb:BOYS, Yb:CaF2, ખાસ કરીને 1020-1050 એનએમની આસપાસ કામ કરે છે. તેઓ શક્યતઃ નાની પરિમાણ ક્ષતિને કારણે અત્યંત કાર્યક્ષમ અને ઊંચી શક્તિવાળા છે. અલ્ટ્રાશોર્ટ સ્પંદનોમાં અત્યંત ઊચી શક્તિ વાયબીઃવાયએજી મારફતે મેળવી શકાય છે. હોલમિયમ-મિશ્રીત વાએજી ક્રિસ્ટલ્સ 2087 એનએમ પર સ્રાવ બહાર કાઢે છે અને કાર્યક્ષમ લેસરની રચના કરે છે, જે જળ ધરાવતા ટિસ્યુઓ મારફતે મજબૂત રીતે ધારણ કરેલા ઇનફ્રારેડ તરંગોલંબાઇ પર કામ કરે છે. Ho-YAG સામાન્ય રીતે સ્પદંન સ્થિતિમાં કામ કરે છે અને ઓપ્ટિકલ ફાયબર સર્જિકલ ઘટકમાંથી સ્ત્રોત જોઇન્ટમાં પસાર થાય છે, જે દાંત પરથી સડો દૂર કરે છે, કેન્સર ઓગાળે છે અને કીડની અને પથરીઓનો ચૂરો કરી નાખે છે.

ટીટેનીયમ-મિશ્રીત નીલમ (ટીઆઇઃનીલમ) અત્યંત ઊંચા ટ્યુનેબલ ઇન્ફ્રારેડ લેસર પેદા કરે છે, જેનો સામાન્ય રીતે સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી તેમજ અત્યંત સામાન્ય અલ્ટ્રાશોર્ટ સ્પદંન લેસર માટે થાય છે.


નક્કર સ્થિતિવાળા લેસરોમાં થર્મલ મર્યાદાઓ બિનરૂપાંતરીત પંપ શક્તિ કે જે તેની જાતે જ ગરમી અને ફોનોમ ઉર્જા તરીકે સ્પષ્ટ દેખાય છે તેમાંથી પેદા થાય છે. આ ગરમી ઊચ્ચ થર્મો ઓપ્ટિક કોએફિશિયન્ટ (ડીએન /ડીટી ) સાથે મિશ્રીત હોય ત્યારે થર્મલ લેન્સીંગ તેમજ ઓછી પરિમાણ ક્ષમતામાં વધારો કરે છે. આ પ્રકારના મુદ્દાઓનો અન્ય ઉમદા ડાયોડ પંપ્ડ નક્કર સ્થિતિ વાળા લેસર, ડાયોડ પંપ્ડ પાતળા ડિસ્ક લેસર દ્વારા હલ શોધી શકાય છે. આ લેસર પ્રકારમાં થર્મ મર્યાદાને લેસર માધ્યમ ભૂમિતી કે જેમાં જાડાઇ પંપ બીના વ્યાસ કરતા ઘણી નાની હોય છે તેના દ્વારા પહોંચી વળાય છે. આ બાબત સામગ્રીઓમાં વધુ થર્મલ ગ્રેડીયન્ટ માટેની મંજૂરી આપે છે. પાતળા ડિસ્ક લેસરને શક્તિના કિલોવોટ ધોરણ સુધી પેદા કરતા દર્શાવવામાં આવ્યા છે.[૧૭]

ફાયબર હોસ્ટેડ લેસર્સ[ફેરફાર કરો]

નક્કર સ્થિતિવાળા લેસરો કે જ્યાં ઓપ્ટિકલ ફાયબરમાં સંપૂર્ણ આંતરિક પ્રતિબિંબને કારણે પ્રકાશને માર્ગદર્શન આપવામાં આવે છે તેને ફાયબર લેસર કહેવાય છે. પ્રકાશનું માર્ગદર્શન સારી ઠંડક વાળી સ્થિતિ પૂરી પાડતા લોંગ ગેઇન રિજીયનની છૂટ આપે છે; ફાયબર વોલ્યુમ ગુણોત્તરાં ઊંચો સરફેસ વિસ્તાર ધરાવે છે, જે કાર્યક્ષમ ઠંડકની છૂટ આપે છે. વધુમાં, ફાયબરનો તરંગોમાર્ગદર્શક ગુણ બીમના થર્મલ સંકેત ફેરફારમાં ઘટાડો કરી શકે છે. એરબીયમ અને યટ્ટેરબીયમ આયોન્સ આ પ્રકારના લેસરમાં સામાન્ય સક્રિય જાતો છે.

વારંવાર બને છે તેમ, ફાયબર લેસરની ડબલ ક્લેડ ફાયબર તરીકે રચના થયેલી હોય છે. આ પ્રકારના ફાયબરોમાં ફાયબર કોર, આંતરિક ક્લેડીંગ અને બાહ્ય ક્લેડીંગનો સમાવેશ થાય છે. ત્રણ કેન્દ્રિત સ્તરોની સૂચિને પસંદ કરાય છે જેથી, ફાયબર કોર લેસર સ્રાવ માટે સિંગલ-મોડ ફાયબર તરીકેની જ કામગીરી બજાવે છે, જ્યારે બાહ્ય ક્લેડીંગ પંપ લેસર માટ ઉંચો મલ્ટીમોડ કોર તરીકે કામગીરી બજાવે છે. આને કારણે સક્રિય આંતરિક કોર રિજીયનમાં અને દ્વારા મોટી સંખ્યામાં શક્તિનો ફેલાવો કરવામા પંપને સહાય કરે છે, જ્યારે સરળતાથી પ્રારંભની સ્થિતિ માટે ઊંચું આકડાકીય છિદ્ર (એનએ) ધરાવે છે.

પંપ લાઇટનો ઉપયોગ ફાયબર ડિસ્ક લેસર અથવા આ પ્રકારના લેસરોના જૂથના સર્જન દ્વરા વધુ કાર્યક્ષમ રીતે ઉપયોગ કરી શકાય છે.

ફાયબરમાં લેસરો ફાયબરમાં તે ઉગ્રતામાં મૂળભૂત મર્યાદા ધરાવે છે, જે સ્થાનિક ઇલેક્ટ્રીક ફિલ્ડ મજબૂતાઇ દ્વરા ગઠિત ઓપ્ટિકલ બિરૈખિકતા જેટલી ઊંચી હોઇ ન શકે જ-પ્રભાવી બની શકે છે અન લેસર કામગીરી રોકે છે અને/અથવા ફાયબરની સામગ્રીના વિનાશમાં પરિણમે છે. આ અસરને ફોટોડાર્કનીંગ કહેવાય છે. મોટી લેસર સામગ્રીમાં, ઠંડક કેટલી કાર્યક્ષમ હોતી નથી અને થર્મલ અસરથી ફોટોડાર્કનીંગની અસરને અલર કરવી મુશ્કેલ છે, પરંતુ ફાયબરમાં થયેલા પ્રયોગો દ્રશાવે છ કે ફોટોડાર્કનીંગને કારણે લાંબા ગાળાના કલર સેન્ટરની રચના થઇ હોવાનું ગણાવી શકાય છે.(સંદર્ભ આપો)

ફોટોનીક ક્રિસ્ટલ લેસર્સ[ફેરફાર કરો]

ફોટોનીક ક્રિસ્ટલ લેસર્સ નાનો માળખા પર આધારિત છે, જે મોડ સીમા અને ઓપ્ટિકલ સ્થિતિની ગીચતા (ડીઓએસ) માળખું પૂરું પાડે છે, જે પ્રતિભાવ મેળવવા માટે જરૂરી છેઢાંચો:Clarify me. ફોટોનીક ક્રિસ્ટલના બેન્ડઝ પર તે ખાસ પ્રકારનું માઇક્રોમીટર કદનું અને ટ્યૂનેબલ હોય છે. [૨]ઢાંચો:Clarify me

સેમીકન્ડક્ટર લેસર્સ[ફેરફાર કરો]

સેમીકન્ડક્ટર લેસર્સ પર નક્કર સ્થિતિ ધરાવતા લેસરો છે, પરંતુ લેસર કામગીરીનો અલગ પ્રકાર ધરાવે છે.

વ્યાપારી લેસર ડાયોડ 375 એનએમથી લઇને 1800 એનએમ તરંગોલંબાઇઓ સુધી સ્રાવ બહાર કાઢે છે અને 3 µmથી વધુની તરંગલંબાઇનું નિદર્શન કરવામાં આવ્યું છે. ઓછી શક્તિવાળા લેસર ડાયોડ્ઝનો ઉપયોગ લેસર પ્રિન્ટર અને સીડી/ડીવીડી પ્લેયરોમાં થાય છે. વધુ શક્તિશાળી લેસર ડાયોડનો વારંવાર ઓપ્ટીકલી પંપ, ઊંચી ક્ષમતા ધરાવતા અન્ય લેસરોમાં ઉપયોગ થાય છે. સૌથી વધુ શક્તિ ધરાવતા 10 કિવો (70ડીબીએમ) સુધીની શક્તિ સાથેના ઔદ્યોગિક લેસર ડાયોડ્ઝનો ઉપયોગ ઉદ્યોગમાં કટીંગ અને વેલ્ડીંગ માટે થાય છે. બાહ્ય-પોલાણ સેમીકન્ડક્ટર લેસરો મોટા પોલાણમાં સેમીકન્ડક્ટર સક્રિય માધ્યમ ધરાવે છે. આ ઘટકો સારી બીમ ગુણવત્તા, તરંગોલંબાઇ ટ્યૂનેબલ સાંકડી રેખાપહોળાઇ રેડીયેશન અથવા અલ્ટ્રાશોર્ટ લેસર સ્પંદન સાથે ઊંચી શક્તિ પેદા કરે છે.

5.6 એમએમ 'ક્લોઝ્ડ કેન' વ્યાપારી લેસર ડાયોડ, શક્યતઃ સીડી અથવા ડીવીડી પ્લેયર મારફતે.

વર્ટિકલ પોલાણ સપાટી કે જે લેસરો (વીસીએસઇએલ)નો સ્રાવ બહાર કાઢે છે તે સેમીકન્ડક્ટર લેસરો છે, જેની સ્ત્રાવની દિશા પાણીની સપાટી પર કાટખૂણાની હોય છે. વીસીએસઇએલ ઘટક ખાસ કરીને પરંપરાગત લેસર ડાયોડની તુલનામાં વધુ ગોળાકાર આઉટપુટ બીમ ધરાવે છે અને શકયતઃ તેનું ઉત્પાદન કરવું વધુ સસ્તુ પડે છે. 2005ના રોજ, ફક્ત 850 એનએમ વીસીએસઇએલ બહોળા પ્રમાણમાં ઉપલબ્ધ છે, જેમાં 1300 એનએમ વીસીએસઇએલ વ્યાપારીકરણનો પ્રારંભ થઇ ગયો છે [૧૮] અને 1550 એનએમ ઘટકો સંશોધન વિસ્તાર ધરાવે છે. વીઇસીએસઇએલ બાહ્ય પોલાણવાળા વીસીએસઇએલ છે. ક્વોન્ટમ કાસ્કેડ લેસરs સેમીકન્ડક્ટર લેસર છે, જેની પાસે વિવિધ ક્વોન્ટમ વેલ ધરાવતા માળખામાં ઉર્જા સબ બેન્ડઝ વચ્ચે સક્રિય સંક્રમણ હોય છે.

ઓપ્ટિકલ કોમ્પ્યુટીંગ ક્ષેત્રે સીલીકોન લેસરનો વિકાસ અગત્યનો છે. સીલીકોન એ ઇન્ટીગ્રેટેડ સરકીટ માટેની પસંદગીની સામગ્રી છે અને તેથી ઇલેક્ટ્રોનીક અન સીલીકોન ફોટોનિક પૂર્જાઓ (જેમ કે ઓપ્ટિકલ ઇન્ટરકનેક્ટ) સમાન ચિપ પર લગાડી શકાય છે. કમનસીબે, સીલીકોન મુશ્કેલ લેસીંગ સામગ્રી છે, કેમ કે તેના કેટલા એવા ગુણો છે જે લેસીંગને અવરોધે છે. જોક, તાજેતરમાં જૂથોએ પદ્ધતિઓ જેમ કે સીલીકોનમાંથી લેસીંગ સમાગ્રીની અને અન્ય સેમીકન્ડક્ટર સમાગ્રીઓ જેમ કે ઇન્ડિયમ (III) ફોસ્પાઇડ અથવા ગેલિયમ (III) આર્સેનાઇડ સામગ્રીઓ દ્વારા સીલીકોન લેસરનું ઉત્પાદન કર્યું છે, આ સામગ્રીઓ સીલીકોનમાંથી સતત પ્રકાશ પેદા કરવાની છૂટ આપે છે. આને બાઇબ્રીડ સીલીકોન લેસર કહેવાય છે. અન્ય પ્રકાર છે રામન લેસર, જે સીલીકોન જેવી સામગ્રીઓમાંથી લેસરના ઉત્પાદન માટે ફાયદો ઉઠાવે છે.

ડાય લેસર્સ[ફેરફાર કરો]

ડાય લેસર ગેઇન મિડીયમ તરીકે ઓર્ગેનિક ડાયનો ઉપયોગ કરે છે. ઉપલબ્ધ ડાયઝનો વિસ્તૃત ગેઇન વ્યાપ આ લેસરોને ઊંચી ટ્યુનેબલ થવાની છૂટ આપે છે અથવા અત્યંત ટૂંગકા ગાળાના સ્પંદનો (થોડા ફેમોસેકંડ્સના ક્રમે)ની છૂટ આપે છે.

મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન લેસરો[ફેરફાર કરો]

મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન લેસરો, અથવા એફઇએલ, ઊંચી શક્તિવાળા રેડિયેશનનું સતત ઉત્પાદન કરે છે, જે વિસ્તૃત રીતે ટ્યુનેબલ હોય છે, જે હાલમાં તરંગોલંબાઇથી લિન માઇક્રોવેવ સુધીનો વ્યાપ ટેરાહર્ટઝ રેડિયેશન અને ઇન્ફ્રારેડ સુધીનો દેખીતા સ્પેક્ટ્રમ અને સોફ્ટ એક્સ રે માટે વ્યાપ ધરાવે છે. તે કોઇ પણ લેસર પ્રકારની સૌથી બહોળી ફ્રિક્વન્સી રેન્જ ધરાવે છે. એફઇએલ સમાન પ્રકારની ઓપ્ટિકલ છાપ ધરાવે છે ત્યારે અન્ય લેસરો જેમ ક સતત રેડીયેશન, એફઇલ કામગીરી તદ્દન અલગ છે. ગેસ, પ્રવાહી અથવા નક્કર સ્થિતિના લેસરો કે જે બાઉન્ડ એટોમિક અથવા મોલેક્યુલર સ્થિતિ પર આધાર રાખે છે તેનાથી વિરુદ્ધ એફઇએલ સાબંધિક ઇલેક્ટ્રોન બીમનો લેસીંગ માધ્યમ તરીકે ઉપયોગ કરે છે અને તેથી તેને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન શબ્દ અપાયો છે.

ઇક્ઝોટિક લેસર મિડીયા[ફેરફાર કરો]

2007 સપ્ટેમ્બરમાં બીબીસી ન્યૂઝે અહેવાલ આપ્યો હતો કે અત્યંત શક્તિશાળી ગામા રે લેસરને આગળ ધપાવવા માટે પોઝીટ્રોનીયમ એન્નીગિલેશનનો ઉપયોગ થવાની શક્યતા અંગેની અટકળો છે.[૧૯] યુનિવર્સિટી ઓફ કેલિફોર્નીયા, રીવરસાઇડના ડો. ડેવીડ કેસીડીએ એવું સુચન કર્યું હતું કે આ પ્રકારનું એક માત્ર લેસર ન્યુક્લિયર ફ્યુઝન પ્રતિક્રિયાને વેગ આપવા માટે ઉપયોગમાં લઇ શકાય છે, જે ખાસ પ્રકારના ઇનર્શિયલ કન્ફાઇનમેન્ટ ફ્યુઝન પ્રયોગોમાં વપરાતા હજ્જારો લેસરોને બદલે છે.[૧૯]

પરમાણુ વિસ્ફોટ દ્વારા આગળ ધપાવાયેલા અવકાશ આધારિત એક્સ રે લેસરોનુ પણ એન્ટીમિસાઇલ શસ્ત્ર તરીકે સુચન કરાયું છે.[૨૦][૨૧] આ પ્રકારના ઘટકો એક વન-શોટ (એક જ સમયે વાપરવામાં આવતા) શસ્ત્રો છે.

ઉપયોગો[ફેરફાર કરો]

અસંખ્ય એપ્લીકેશનો સાથે માઇક્રોસ્કોપીક ડાયોડ લેસરની કદમાં લેસર (ટોચમાં) રેન્જથી લઇને ફૂટબોલના મેદાન જેવડા નયોડિયમ ગ્લાસ લેસર્સ (નીચે)નો ઉપયોગ ઇનર્શિયલ કન્ફાઇનમેન્ટ ફ્યુઝન, પરમાણુ શસ્ત્ર સંશોધન અને અન્ય ઊંચી ઉર્જા ધરાવતા ફિઝીક્સ પ્રયોગો માટે થાય છે.

જ્યારે લેસરોની 1960માં શોધ થઇ ત્યારે તેને "સમસ્યાના ઉકેલ તરીકે કહેવાતુ હતું."[૨૨] ત્યારથી, સર્વવ્યાપક બની ગયા છે, અને કન્ઝ્યુમર ઇલેક્ટ્રોનીક્સ, માહિતી ટેકનોલોજી, વિજ્ઞાન, ઉદ્યોગો, કાયદા લાગુ પાડવા, મનોરંજન અને લશ્કર સહિતના આધુનિક સમાજના દરેક વિભાગમા અત્યંત વિવિધ રીતોમાં તેનો ઉપયોગ થાય છે.

લેસરનો સૌપ્રથમ દેખીતો ઉપયોગ થયો હોય તેવુ વસ્તીના સામાન્ય જીવનમાં દેખાય છે અને તે છે સુપરમાર્કટ બારકોડ સ્કેનર, જે 1974માં અમલમાં આવ્યું હતું. 1978માં અમલમાં આવેલા લેસરડિસ્ક પ્લેયર લેસરને સમાવી લેતી સૌપ્રથમ ઉપભોક્તા પેદાશ હતી, પરંતુ કોમ્પેક્ટ ડિસ્ક પ્લેયર સૌપ્રથમ લેસરથી સજ્જ ઘટક હતું, જે ઉપભોક્તાઓના ઘરોમાં સાચી રીતે સર્વસામાન્ય બની રહેવાનો 1982માં થયેલા પ્રારંભ સાથે બાદમાં ટૂંક સમયમાં જ લેસર પ્રિન્ટરો આવ્યા હતા.

અન્ય કેટલાક ઉપયોગોમાં નીચેનાનો સમાવેશ થાય છે:

2004માં, ડાયોડ લેસર સિવાય આશરે 131,000 લેસરોનું વિશ્વભરમાં વેચાણ થયું હતું, જેનુ મૂલ્ય 2.10 અબજ અમેરિકન ડોલર થવા જાય છે.[૨૩] સમાન વર્ષમાં 3.20 અબજ ડોલરના આશરે 733 ડાયોડ લેસરોનું વચાણ થયું હતું.[૨૪]

શક્તિ દ્વારા ઉદાહરણો[ફેરફાર કરો]

અલગ ઉત્પાદન શક્તિવાળા લેસરોની જરૂર અલગ ઉપયોગોમાં પડે છે. લેસરો કે જે સતત બીમ અથવા અસંખ્ય ટૂંકા સ્પંદનો પેદા કરે છે તેની તુલનામાં તેમની સરેરાશ શક્તિને આધારે કરી શકાય. લેસરો કે જે સ્પંદનો પેદા કરે છે તેને પણ દરેક સ્પંદનની સૌથી વધુ શક્તિ દ્વારા ગણાવી શકાય. સ્પંદનીય લેસરની સૌથી વધુ શક્તિ અસંખ્ય મેગ્નીટ્યૂડના ક્રમ છે જે તેની સરેરાશ શક્તિથી વધુ છે. સરેરાશ ઉત્પાદન શક્તિ હંમેશા વપરાયેલ શક્તિ કરતા ઓછી હોય છે.

કેટલાક ઉપયોગો માટે જરૂરી સતત અથવા સરેરાશ શક્તિ:

હાઇ સ્પીડ શક્તિ સાથે સ્પંદનીય પદ્ધતિનું ઉદાહરણઃ

શોખ માટે ઉપયોગો[ફેરફાર કરો]

તાજેતરના વર્ષોમાં, કેટલાક શોખીનોએ લેસરોમાં રસ લીધો છે. શોખીનો દ્વારા ઉપયોગમાં લેવાતા લેસરો સામાન્ય રીતે IIIએ અથવા IIIબી વર્ગના હોય છે, જોકે કેટલાક પાસે તેમના પોતાના વર્ગ IV પ્રકારના છે. [૨૯] જોકે, ખર્ચ અને શક્ય જોખમો સંકળાયેલા હોવાથી અન્ય શોખીનોની તુલનામાં, લેસર શોખીનો ઓછા સામાન્ય છે. લેસરોની કિંમતને લીધે, કેટલાક શોખીનો લેસરો પ્રાપ્ત કરવા માટે ડીવીડી બર્નરમાંથી ડાયોડ્ઝ તારવી લેવા જેવા બિનખર્ચાળ હેતુઓનો ઉપયોગ કરે છે. [૩૦]

શોખીનો નિવૃત્ત લશ્કરી રીતોમાંથી વધારાના સ્પંદનીય લેસરો પણ લેતા હોય છે અને તેમાં સ્પંદનીય હોલોગ્રાફી માટે ફેરફાર કરતા હોય છે. સ્પંદનીય રુબી અને સ્પંદનીય YAG લેસરોનો ઉપયોગ થાય છે.

લેસર સલામતી[ફેરફાર કરો]

લેસર માટે ચેતવણી સંકેતો.

સૌપ્રથમ લેસર પણ શક્યતઃ જોખમી હોવા તરીકે ઓળખવામાં આવ્યું હતું. થિયોડોર મેમણે પ્રથમ લેસરને "જિલેટ"ની શક્તિ ધરાવતા તરીકે ગણાવ્યું હતું, કેમ કે તે એક જિલેટ રેઝર બ્લેડ દ્વારા સળગી શકે છે. આજે, એવું સ્વીકારવામાં આવ્યું છે કે ફક્ત થોડા મિલીવોટની ઉત્પાદન શક્તિ સાથે ઓછા બળવાળા લેસરો માનવીની દ્રષ્ટિ માટે નુકસાનકારક છે, જ્યારે આ પ્રકારના લેસરના બીમ આંખને સીધી રીતે અથવા ચળકાટવાળી સપાટીથી પ્રતિબિંબ બાદ અસર કરે છે. જે તરંગલંબાઇએ કોર્નીયા અને લે્સ સારી રીતે કેન્દ્રિત કરી શખે છે, લેસર પ્રકાશની સાતત્યતા અને ઓછી રીતે અલગ અલગ દિશામાં ફંટાવાનો અર્થ એ છે કે તેની પર રેટિના પર આવેલા અત્યંત નાના બિંદુમાં આંખ દ્વારા કેન્દ્રિત હોય, જે થોડા પ્રમાણમાં સળગવામાં અને સેકંડોમાં અથવા તેનાથી ઓછા ગાળામાં કાયમી નુકસાનમાં પરિણમે છે.

લેસરો સામાન્ય રીતે સલામતી વર્ગ ક્રમાંકથી લેબલ થયેલા હોય છે, જે લેસરો કેટલા જોખમી છે તે ઓળખી કાઢે છે:

  • વર્ગ I/1 સાહજિક રીતે જ સલામત છે, કારણ કે સામાન્ય રીત પ્રકાશ એનક્લોઝરમાં ઉદાહરણ તરીકે સીડી પ્લેયર્સમાં સમાવિષ્ટ હોય છે.
  • વર્ગ II/2 સાધારણ ઉપયોગ દરમિયાન સલામત હોય છે; આંખનું પટપટાવાનું પ્રતિબિંબ નુકસાનને રોકે છે. સામાન્ય રીતે 1 mW શક્તિ ઉદાહરણ તરીકે લેસર પોઇન્ટર.
  • વર્ગ IIIએ/3આર લેસરો ,સામાન્ય રીતે 5 mW સુધીના હોય છે અને આંખને પટપટાવતા હોઇએ તે સમયે આંખના નાના નુકસાનનો સમાવેશ કરે છે. થોડી સેકંડો સુધી આ પ્રકારના બીમ સામે તાકવાથી (નજીવું) આંખન નુકસાન પહોંચે છે.
  • વર્ગ IIIબી/3બી લાગુ પડવાથી આંખમાં તીવ્ર નુકસાન માટે કારણભૂત બને છે. સામાન્ય રીતે 500 mW સુધીના લેસરો, જેમ કે સીડી અને ડીવીડી રાઇટર્સ.
  • વર્ગ IV/4 લેસરો ત્વચાને બાળી નાખે છે અને કેટલાક કિસ્સાઓમાં છૂટોછવાયો પ્રકાશ પણ આંખ અને /અથવા ત્વચાના નુકસાનમાં પરિણમે છે. ઘણા ઔદ્યોગિક અન વૈજ્ઞાનિક લેસરો આ વર્ગમાં આવે છે.

દર્શાવેલા પાવરો દેખીતા પ્રકાશ, સતત તરંગો લેસરો માટે છે. સ્પંદનીય લેસરો અને અદ્રશ્ય તરંગોલંબાઇઓ માટે અન્ય પાવર મર્યાદા લાગુ પડે છે. જે લોકો વર્ગ 3બી અને વર્ગ 4 લેસરો સાથે કામ કરે છે તેઓ તેમની આંખને સલામતી ગોગલ્સ દ્વારા રક્ષણ આપી શકે છે, જેની રચના ખાસ મોઝલંબાઇઓના પ્રકાશને ગ્રહણ કરી લેવા માટે કરવામાં આવી હોય છે.

આશરે 1.4 માઇક્રોમીટરથી વધુ તરંગોલંબાઇ સાથેના ચોક્કસ ઇન્ફ્રારેડ લેસરોને ઘણી વખત "આઇ સેઇફ" તરીકે ગણવામાં આવે છે. પાણીમાં રહેલા કણો અંતર્ગત આંશિક આંદોલનો સ્પેક્ટ્રમના આ ભાગમાં અત્યંત મજબૂત રીતે પ્રકાશ ગ્રહણ કરતા હોવાથી અન આમ લેસર બીમ આ તરંગોલંબાઇએ એટલી સંપૂર્ણ રીતે બારીક બનાવે છે કે તે આંખના પડદામાંથી પસાર થઇ જાય છે જેમ કે લેન્સ દ્વારા રેટિના કેન્દ્રિત કોઇ પ્રકાશ રહેતો નથી. લેબલ "આઇ-સેફ" ગેરમાર્ગે દોરી શકે છે, આમ છતા, તે ફક્ત સંબંધિત રીતે ઓછી શક્તિવાળા સતત તરંગો બીમ અને કોઇ પણ વધુ શક્તિ અથવા ક્યુ સ્વીચ્ડ લેસર પર લાગુ પડતા હોવાથી પડદાને બાળી શકે છે, જે આંખમાં તીવ્ર નુકસાનમાં પરિણમે છે.

એક શસ્ત્ર તરીકે લેસર[ફેરફાર કરો]

લેસર બીમને વિજ્ઞાન કલ્પનાઓમાં જાણીતી રીતે એક શસ્ત્ર તરીકે લાગુ પાડ્યા હોવાનું જાણીતુ છે, પરંતુ ખરેખર લેસર શસ્ત્રો જ બજારમાં પ્રવેશવાના શરૂ થયા છે. લેસર બીમ શસ્ત્રોનો સામાન્ય ખ્યાલ થોડા પ્રકાશના સ્પંદનો સાથે લક્ષ્યાંકને અસર કરશે. સપાટીનું ઝડપી બાષ્પીભવન અને વિસ્તરણ જે આંચકાઓમાં પરિણમે છે તે લક્ષ્યાંકને નુકસાન પહોંચાડે છે.

શક્તિને ઊંચી શક્તિવાળા આ પ્રકારના લેસર બીમને રજૂ કરવાની જરૂર હતી, જે પ્રવર્તમાન મોબાઇલ પાવર ટેકોલોજી માટે મુશ્કેલ છે. જાહેર નમૂનાઓ કેમીકલી સજ્જ ગેસ ડાયનામિક લેસર છે.

તમામના લેસરો પરંતુ લઘુત્તમ શક્તિનો જ્યારે આંખને લક્ષ્યાંક બનાવવામાં આવી હોય ત્યારે તેમની થોડા કે કાયમી પ્રમાણમાં વિવિધ ડિગ્રીએ દ્રષ્ટિ ગુમાવવાની તેમની ક્ષમતા શક્યતઃ શસ્ત્રોની ક્ષમતા ઘટાડાવામાં ઉપયોગ થઇ શકે છે. લેસર પ્રકાશ સામે દ્રષ્ટિ નાખવાથી પરિણમેલી દ્રષ્ટિ વિકલાંગતાની ડિગ્રી, લક્ષણ અને ગાળો લેસરની શક્તિ, તરંગોલંબાઇ(ઓ), સમાંતરકારી બીમ અને દ્રષ્ટિ નાખવાનો ગાળાના પ્રમાણમાં જુદો પડે છે. વોટના તફાવતવાળા લેસરો ચોક્કસ પરિસ્થિતિમાં ઝડપથી, કાયમી દ્રષ્ટિ ગુમાવવામાં કારણભૂત બને છે, જે આ પ્રકારના લેસરોને શખ્યતઃ પ્રાણઘાતક વિનાના બનાવે છે, પરંતુ શસ્ત્રોની ક્ષમતામાં ઘટાડો કરે છે. લેસર સહિતનો અંધાપો વ્યક્ત કરતી તીવ્ર વિકલાંગતા, જે નૈતિક રીતે વિવાદાસ્પજ બિન-પ્રાણઘાતક શસ્ત્રોનો ઉપયોગ વ્યક્ત કરે છે અને અંધાપામાં પરિણમતા શસ્ત્રોની રચના પર પ્રોટોકોલ ઓન બ્લાઇન્ડીંગ લેસર વેપન્સ દ્વારા પ્રતિબંધ મૂકવામાં આવ્યો છે.

યુ.એસ. ફોર્સ હાલમાં વાયએએલ-1એરબોર્ન લેસર પર કામ કરી રહ્યુ છે, જેને બોઇંગ 747 પર દુશ્મનોના પ્રદેશમાં જ દુશ્મનોના બેલિસ્ટિક મિસાઇલને પાડી નાખવા માટે લગાવવામા આવ્યા હતા.

ઉડ્ડયન ક્ષેત્રમાં, જમીન પરના નુકસાનકારક લેસરોનો ઉપયોગનો ઇરાદો પાયલોટો હતા, જેમાં ઉડ્ડયન કોઇ સત્તાવાળાઓ આ પ્રકારના જોખમો સામે ખાસ પ્રકારની પદ્ધતિ ધરાવે છે તે જણાવવાનો હતો. [૩૧]

18 માર્ચ 2009ના રોજ નોર્થોપ ગ્રુમ્માને જાહેરાત કરી હતી કે તેમના રેડોન્ડો બીચમાં રહેલા એન્જિનીયરોએ સફળતાપૂર્વક ઇલેક્ટ્રીક લેસરની રચના અને પરીક્ષણ કર્યું છે, જે 100 કિલોવોટ પ્રકાશ ફેંકવાની ક્ષમતા ધરાવે છે અને એરપ્લેન કે ટેન્કને તોડા પાડવા માટે પણ પૂરતા શક્તિશાળી છે. ઇલેક્ટ્રીક લેસર થિયોરિટીકલી સક્ષમ છે કારણ કે એરક્રાફ્ટ, વહાણ અથવા વાહનમા લગાવવામાં કેમિકલ લેસર કરતા સહાયક સાધનો માટે તેને વધુ જગ્યાની જરૂર પડે છે એમ જોઇન્ટ હાઇ પાવર સોલીડ સ્ટેટ લેસર પ્રોગ્રામના યુનાઇટેડ સ્ટેટ્સ આર્મીના મેનેજર બ્રીયન સ્ટ્રીકલેન્ડ જણાવે છે. [૩૨]

કાલ્પનિક આગાહીઓ[ફેરફાર કરો]

કલ્પનામાં લેસરો માટે રે ગન પણ જુઓ.

ઉત્તેજિત સ્રાવની શોધ થઇ તે પહેલા, નવલકથાકારો મશિનોને એવી રીતે ઓળખતા હતા જેને આપણે "લેસરો" તરીકે ઓળખી શકીએ.

  • લેસર જેવા ઘટકનું એલેક્સ તોલસ્તોયના સ્કી ફી નવલકથાધી હાયપરબોલોઇડ ઓફ એન્જિનીયર ગરીન માં 1927માં વર્ણન કરવામાં આવ્યું હતું.
  • મિખાઇલ બલ્ગાકોવે તેમની સ્કી ફી નવલકથા ફેટલ એગ્સ (1925)માં આ રેડ પ્રકાશના સ્ત્રોતના વ્યાજબી વર્ણન સિવાય તીવ્ર રેડ પ્રકાશની (લેસર બાયો ઉત્તેજના)જૈવિક અસર અંગે અતિશયોક્તિ દર્શાવી હતી. (તે નવલકથામાં,એડવાન્સ્ડ માઇક્રોસ્કોપની પ્રકાશ ફેકવાની પદ્ધતિથી રેડ પ્રકાશ પ્રથમવાર પ્રસંગોપાત દેખાય છે; ત્યાર બાદ પુરસ્કૃત્ત અધ્યાપક પર્સિકોવ રેડ-પ્રકાશના ઉપાર્જન માટે ખાસ માળખાની ગોઠવણ કરે છે.)

વધુ જુઓ[ફેરફાર કરો]

નોંધ અને સંદર્ભો[ફેરફાર કરો]

  1. કંસેપ્ચ્યુઅલ ફિઝિક્સ, પાઉલ હેવિટ, 2002
  2. "Schawlow and Townes invent the laser". Lucent Technologies. 1998. Retrieved 2006-10-24. 
  3. ડિક્શનરી.કોમ - "લેઝ"
  4. જી.પી. કરમન, જી.એસ.મેકડોનાલ્ડ, જી.એચ.સી. ન્યૂ, જે.પી. વોએર્ડમેન, "લેસર ઓપ્ટિક્સ: અસ્થિર રેસોનેટરમાં ભૂમિતિક વળાંકો", નેચર, વો.. 402, 138, 11 નવેમ્બર 1999.
  5. સ્ટીન, ડબ્લ્યુ.એમ."લેસર મટીરીયલ્સ પ્રોસેસીંગ", બીજી આવૃત્તિ 1998.
  6. ઢાંચો:It icon ઇલ રિશિયો ડા લેસર: કોસા ઇ ઇ કમ એફ્રોન્ટાર્લો ; એનાલિસી ડી અન પ્રોબ્લેમ નોન કોસી લોનટાનો ડી નોઇ ("લેસર તરફથી જોખમ: તે શું છે અને તે શેનો સામનો કરે છે; સમસ્યાનું પૃથ્થકરણ જે આપણાથી બહુ દૂર નથી."), પ્રોગ્રામા કારસો ડી ફોર્માઝિયોન ઓબ્લીગેટોરીયો એન્નો 2004, ડિમીટ્રી બાટાની (પાવરપોઇન્ટમાં રજૂઆત >7એમબી). 1 જાન્યુઆરી 2007ના રોજ સુધારેલુ્.
  7. સ્ટીન, ડબ્લ્યુ.એમ."લેસર મટીરીયલ્સ પ્રોસેસીંગ, બીજી આવૃત્તિ 1998.
  8. ફિઝિક્સ 1966માં નોબેલ ઇનામ અધ્યાપક ઇવાર વોલેર દ્વારા વિધિસરનું સંબોધન. 1 જાન્યુઆરી 2007ના રોજ સુધારેલું.
  9. Townes, Charles Hard. "The first laser". University of Chicago. Retrieved 2008-05-15. 
  10. Gould, R. Gordon (1959). "The LASER, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation". In Franken, P.A. and Sands, R.H. (Eds.). The Ann Arbor Conference on Optical Pumping, the University of Michigan, 15 June through 18 June 1959. pp. 128. OCLC 02460155 .
  11. Chu, Steven; Townes, Charles (2003). "Arthur Schawlow". In Edward P. Lazear (ed.),. Biographical Memoirs. vol. 83. National Academy of Sciences. pp. 202. ISBN 0-309-08699-X .
  12. Hecht, Jeff (2005). Beam: The Race to Make the Laser. Oxford University Press. ISBN 0-19-514210-1 .
  13. "Air Force Research Lab's high power CO2 laser". Defense Tech Briefs. 
  14. Csele, Mark (2004). "The TEA Nitrogen Gas Laser". Homebuilt Lasers Page. Retrieved 2007-09-15. 
  15. "Deep UV Lasers" (PDF). Photon Systems, Covina, Calif. Retrieved 2007-05-27. 
  16. Schuocker, D. (1998). Handbook of the Eurolaser Academy. Springer. ISBN 0412819104 .
  17. સી.સ્ટીવેન, એમ. લારીનોવ, અને એ.ગેઇસેન, “ઓપ્ટિક્સ અને ફોટોનિક્સમાં ઓએસએ પ્રવાહમાં વાયબી:યાગ 1 કિલોવોટની શક્તિ સાથે થીન ડિસ્ક લેસર,”, આધુનિક મજબૂત કક્ષાના લેસરો, એચ. ઇન્જેયાન, યુ. કેલર અને સી.માર્શલ, ઇડી. (ઓપ્ટિકલ સોસાયટી ઓફ અમેરિકા, વોશિગ્ટોન, ડીસી., 2000) પૃષ્ઠ 35-41.
  18. "પિકોલાઇટ શિપ્સ ફર્સ્ટ 4જીબીટસ 1310-એનએમ વીસીએસઇએલ ટ્રાન્સિવર્સ (રેડિયો જેવું સાધન જે સંદેશાઓ મોકલે છે અને મેળવે છે", લેસર ફોકસ વર્લ્ડ , 9 ડિસેમ્બર, 2005, 27 મે 2006ના રોજ ઉપયોગમાં લીધેલ
  19. ૧૯.૦ ૧૯.૧ Fildes, Jonathan (2007-09-12). "Mirror particles form new matter". BBC News. Retrieved 2008-05-22. 
  20. Hecht, Jeff (May 2008). "The history of the x-ray laser". Optics and Photonics News (Optical Society of America) 19 (5): 26–33.
  21. Robinson, Clarence A. (1981). "Advance made on high-energy laser". Aviation Week & Space Technology (23 February 1981): 25–27.
  22. Charles H. Townes (2003). "The first laser". In Laura Garwin and Tim Lincoln. A Century of Nature: Twenty-One Discoveries that Changed Science and the World. University of Chicago Press. pp. 107–12. ISBN 0-226-28413-1 . http://www.press.uchicago.edu/Misc/Chicago/284158_townes.html. પુનર્પ્રાપ્ત 2008-02-02.
  23. કિંકેડ, કેથી અને સ્ટીફન એન્ડર્સન (2005) "લેસર માર્કેટપ્લેસ 2005: ગ્રાહકોના ઉપયોગને લીધે લેસરના વેચાણમાં 10 ટકાનો વધારો", લેસર ફોકસ વર્લ્ડ , વો. 41, નં. 1. (ઓનલાઇન)
  24. સ્ટીલી, રોબર્ટ વી. (2005) "ડાયોડ લેસર બજાર ધીમા દરે વધે છે", લેસર ફોકસ વર્લ્ડ , વો. 41, નં. 2. (ઓનલાઇન)
  25. જ્યોર્જ એમ.પીવી, "સર્જીકલ વેટરીનરી લેસરની પસંદગી કેવી રીતે કરવી", વેટરીનરી-લેસર.કોમ. યુઆરએલ પર 14 માર્ચ 21008ના રોજ મૂલાકાત લીધેલ.
  26. ટાયરેલ, જેમ્સ, "ડાયોડ લેસર વધુ શક્તિ માટે મૂળભૂત દબાણ મેળવે છે", ઓપ્ટિક્સ.ઓઆરજી. 27 મે 2006ના રોજ યુઆરએલની મુલાકાત લીધેલ.
  27. હેલર, આર્ની, "વિશ્વના સૌથી શક્તિશાળી લેસરનું સંગીતમાં નિરુપણ." વિજ્ઞાન અને તકનીકી સમીક્ષા . લોરેન્સ લાઇવમોર નેશલ લેબોરેટરી, જુલાઇ/ઓગસ્ટ 2005. 17 મે 2006ના રોજ યુઆરએલની મૂલાકાત લીધેલ.
  28. Schewe, Phillip F.; Stein, Ben (9 November 1998). "Physics News Update 401". American Institute of Physics. Retrieved 2008-03-15. 
  29. પાવરલેબ્સ સીઓ2 લેસર! સામ બેરોસ 21 જૂન 2006. 1 જાન્યુઆરી 2007ના રોજ સુધારેલું.
  30. હોવટો: વધુ શક્તિશાળી લેસરમાં ડીવીડી બર્નર બનાવો
  31. http://news.bbc.co.uk/1/hi/technology/7990013.stm
  32. પા, પીટર,"નોર્થ્રોપ એડવાન્સ લેસર ગનના યુગને વધુ નજીક લાવે છે", લોસ એન્જલસ ટાઇમ્સ , 19 માર્ચ, 2009., પૃષ્ઠ. B2. http://articles.latimes.com/2009/mar/19/business/fi-laser19

બીજા વાંચનો[ફેરફાર કરો]

પુસ્તકો
  • બર્ટોલોટ્ટી, મેરીયો (1999, ટ્રાન્સ. 2004). લેસરનો ઇતિહાસ , ઇન્સ્ટિટ્યુટ ઓફ ફિઝીક્સ ISBN 0-750-30911-3
  • સેલે, માર્ક (2004). પ્રકાશ સ્રોતો અને લેસરોના મૂળતત્વો , વિલે. ISBN 0-471-47660-9
  • કોચનર, વોલ્તેર, (1992). સોલીડ સ્ટેટ લેસર એન્જિનીયરીંગ , ત્રીજી આવૃત્તિ, સ્પ્રીંગલર-વર્લાગ. ISBN 0-387-53756-2
  • સેઇગમે, એન્થોની ઇ.(1986 લેસર્સ , યુનિવર્સિટી સાયંસ પુસ્તકો. ISBN 0-935702-11-3
  • સિલ્ફવાસ્ટ, વિલીયમ ટી. ((1996). લેસર મૂળત્વો , કેમ્બ્રિજ યુનિવર્સિટી પ્રેસ. ISBN 0-521-64840-8
  • સ્વેલ્ટો, ઓરાઝીયો (1998). લેસરના સિદ્ધાંતો , ચતુર્થ આવૃત્તિ (ટ્રાન્સ. ડેવીડ હન્ના), સ્પ્રીંગર ISBN 0-306-80768-8
  • Taylor, Nick (2000). LASER: The inventor, the Nobel laureate, and the thirty-year patent war. New York: Simon & Schuster. ISBN 0-684-83515-0
      .
  • વિલ્સન, જે એન્ડ હોક્સ, જે.એફ.બી. (1987). લેસર્સ: સિદ્ધાંતો અને ઉપયોગ , ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનીક્સમાં પ્રેન્ટિસ હોલ ઇન્ટરનેશનલ સિરીઝ, પ્રેન્ટિસ હોલ. ISBN 0-13-523697-5
  • યારીવ, અમનોન (1989). ક્વોન્ટમ ઇલેક્ટ્રોનીક્સ , ત્રીજી આવૃત્તિ, વિલે. ISBN 0-471-60997-8
  • બ્રોમબર્ગ, જોન લિસા (1991). ધી લેસર ઇન અમેરિકા, 1950-1970 , એમઆઇટી પ્રેસ. માર્ચ 1992), ISBN 978-0-7567-5548-5.
સામયિકો
  • એપ્લાઇડ ફિઝીક્સ બી: લેસર્સ અને ઓપ્ટિક્સ (ISSN 0946-2171)
  • આઇઇઇઇ જર્નલ ઓફ લાઇટવેવ ટેકનોલોજી (ISSN 0733-8724)
  • ક્વોન્ટમ ઇલેક્ટ્રોનીક્સની આઇઇઇ જર્નલ (ISSN 0018-9197)
  • ક્વોન્ટમ ઇલેક્ટ્રોનીક્સમાં પસંદ કરેલા વિષયોની આઇઇઇ જર્નલ (ISSN 1077-260X)
  • આઇઇઇ ફોટોનિક્સ ટેકનોલોજી લેટર્સ
  • ઓપ્ટિકલ સોસાયટી ઓફ અમેરિકા બીઃ ઓપ્ટિકલ ફિઝિક્સ (ISSN 0740-3224)
  • લેસર ફોકસ વર્લ્ડ (ISSN 0740-2511)
  • ઓપ્ટિક્સ લેટર્સ (ISSN 0146-9592)
  • ફોટોનિક્સ સ્પેક્ટ્રા (ISSN 0731-1230)


બાહ્ય લિંક્સ[ફેરફાર કરો]